黄光制程问题全解析 主流触摸屏制作流程与工艺
北京时间11月19日消息，中国触摸屏网讯， 目前作为最为主流的触摸屏制作工艺，黄光制程被普遍应用在触摸屏厂商的生产的全部过程中。其实黄光制程在生产的全部过程中，操作人员会遇到各种各样的问题，本文将就根据生产的全部过程中遇到的问题及处理方法整理成集，以供参考。
答：Photoresist（光阻）.是一种感光的物质，其作用是将Pattern从光罩（Reticle）上传递到Wafer上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。
答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。
答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。
答：曝光是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。
答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先对Wafer表明上进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理最重要的包含Bake，HDMS等过程。其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，接着进行HDMS工作，以使Wafer表面更易和光阻结合。
答：上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴（Nozzle）被喷涂在非常快速地旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。
答：上完光阻之后，要进行Soft Bake，其最大的目的是通过Soft Bake将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。
答：曝光是将涂布在Wafer表面的光阻感光的过程，同时将光罩上的图形传递到Wafer上的过程。
答：PEB是在曝光结束后对光阻来控制精密的Bake的过程。其目的是使被曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝光的图形均匀化。
答：显影类似于洗照片，是将曝光完成的Wafer进行成象的过程，通过这一个过程，成象在光阻上的图形被显现出来。
答：Hard Bake是通过烘烤使显影完成后残留在Wafer上的显影液蒸发，并且固化显影完成之后的光阻的图形的过程。
答：BARC=Bottom Anti Reflective Coating, TARC=Top Anti Reflective Coating. BARC是被涂布在光阻下面的一层减少光的反射的物质，TARC则是被涂布在光阻上表面的一层减少光的反射的物质。他们的作用分别是减少曝光过程中光在光阻的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。
答：曝光过程中用到的光，由Mercury Lamp（汞灯）产生，其波长为365nm，其波长较长，因此曝光完成后图形的分辨率较差，可应用在次重要的层次。
答：曝光过程中用到的光，其波长为248nm，其波长较短，因此曝光完成后的图形分辨率较好，用于较为重要的制程中。
答：光源不同，波长不同，因此应用的场合也不同。I-Line主要用在较落后的制程（0.35微米以上）或者较先进制程（0.35微米以下）的Non-Critical layer。DUV则用在先进制程的Critical layer上。
答：Energy（曝光量）, Focus（焦距）。如果能量和焦距调整的不好，就不能得到要求的分辨率和要求大小的图形，主要体现在图形的CD值超出要求的范围。因此要求在生产时要时刻维持最佳的能量和焦距，这两个参数对于不同的产品会有不同。
答：Reticle也称为Mask，翻译做光掩模板或者光罩，曝光过程中的原始图形的载体，通过曝光过程，这些图形的信息将被传递到芯片上。
答：Pellicle是Reticle上为避免灰尘（dust）或者微尘粒子（Particle）落在光罩的图形面上的一层保护膜。
答：传统的铬膜光罩,只是利用光讯0与1干涉成像,主要使用在在较不Critical 的layer
答：（1） 光罩盒打开的情况下，不准进出Mask Room,最多只准保持2个人（2） 戴上手套（3） 轻拿轻放
答：不能放在一起，之间至少要有30公分的距离，防止搬动FOUP时碰撞光罩Pod而损坏光罩。
答：Photo制程中一系列步骤的组合，其包括：Wafer的前、后处理，Coating（上光阻），和Develop（显影）等过程。
答：机台上红灯亮起的时候表明机台处于异常状态，此时已经不能RUN货，因此应该及时Call E.E做处理。若EE现在无法立即解决，则将机台挂DOWN。
答：Wafer Edge Exposure。由于Wafer边缘的光阻通常会涂布的不均匀，因此一般不能得到较好的图形，而且有时还会因此造成光阻peeling而影响其它部分的图形，因此 将Wafer Edge的光阻曝光，进而在显影的时候将其去除，这样便可以消除影响。
答：查看RUN之前lot里有多少Wafer,再看Run之后lot里的WAFER是否有少掉，如果有少，则进一步查看机台是否有Reject记录。
答：迭对测量仪。由于集成电路是由很多层电路重迭组成的，因此一定要保证每一层与前面或者后面的层的对准精度，如果对准精度超出要求范围内，则会造成整个电路不能完成设计的工作。因此在每一层的制作的过程中，要对其与前层的对准精度做测量，如果测量值超出要求，则一定要采取相应措施调整process condition.
答：Critical Dimension，光罩图案中最小的线宽。曝光过后，它的图形也被复制在Wafer上，通常如果这些最小的线宽能够成功的成象，同时曝光的其它的图形也能够成功的成象。因此通常测量CD的值来确定process的条件是否合适。
答：扫描电子显微镜。是一种测量用的仪器，通常能够适用于测量CD以及观察图案。
答：需要。因为通常是process出现了异常，而且影响到了一些货，因此为减少损失，必须把还没有ETCH的货追回来，否则ETCH之后就没有办法挽回损失。
答：光刻部的主要机台是: TRACK（涂胶显影机）, Sanner（扫描曝光机）
答：Track 把光刻胶涂附到芯片上就等同于底片,而曝光机就是一台最高级的照相机. 光罩上的电路图形就是人物. 通过对准,对焦,打开快门, 让一定量的光照过光罩, 其图像呈现在芯片的光刻胶上, 曝光后的芯片被送回Track 的显影槽, 被显影液浸泡, 曝光的光刻胶被洗掉, 图形就显现出来了.
答：它是指某个产品,它的最小CD 的大小为0.18um or 0.13um. 越小集成度可以越高, 每个芯片上可做的芯片数量越多, 难度也越大.它是代表工艺水平的重要参数.
答：NA是曝光机的透镜的数值孔径;是光罩对透镜张开的角度的正玹值. 最大是1; 先进的曝光机的NA 在0.5 ---0.85之间.
答：分辨率=k1*Lamda/NA. Lamda是用于曝光的光波长;NA是曝光机的透镜的数值孔径; k1是标志工艺水准的参数, 通常在0.4--0.7之间.
答：不可以. 困难在透镜材料. 能透过157nm 的材料是CaF2, 其晶体很难生长. 还未发现能透过更短波长的材料.
答：因为白光中包含365nm成份会使光阻曝光,所以采用黄光; 就象洗像的暗房采用暗红光照明.
答：芯片（Wafer）被送进Overlay 机台中. 先确定Wafer的位置从而找到Overlay MARK. 这个MARK 是一个方块 IN 方块的结构.大方块是前层, 小方块是当层;通过小方块是否在大方块中心来确定Overlay的好坏.
答：曝光机贵在它的光学成像系统 （它的成像系统由15 到20 个直径在200 300MM 的透镜组成.波面相位差只有最好象机的5%. 它有精密的定位系统（使用激光工作台）
答：曝光机要保证每层的图形之间对准精度50nm. 它首先要有一个精准的激光工作台, 它把wafer移动到准确的位置. 再就是成像系统,它带来的图像变形35nm.
答：光罩上图形成象在WAFER上, 最大只有26X33mm一块（这一块就叫一个Field）,激光工作台把WAFER 移动一个Field的位置，再曝一次光，再移动再曝光。 直到覆盖整片WAFER。 所以，一片WAFER 上有约100左右Field.
答：一个Die也叫一个Chip;它是一个功能完整的芯片。 一个Field可包含多个Die;
答：曝光机 很贵；一天的折旧有3万-9万人民币之多;所以必须充份利用它的产能,它一天可产出1600片WAFER。
答：Scanner 是一个集机，光，电为一体的高精密机器；为控制iverlay40nm,在曝光过程中，光罩和Wafer的运动要保持很高的同步性．在250nm/秒的扫描曝光时，两者同步位置10nm．相当于两架时速1000公里／小时的波音747飞机前后飞行，相距小于10微米
答：光罩是一块石英玻璃，它的一面镀有一层铬膜（不透光）．在制造光罩时，用电子束或激光在铬膜上写上电路图形（把部分铬膜刻掉，透光）．在距铬膜5mm 的地方覆盖一极薄的透明膜（叫pellicle），保护铬膜不受外界污染.
答：普通纸张是由大量短纤维压制而成，磨擦或撕割都会产生大量微小尘埃（particle）．进cleanroom 要带专用的Cleanroom Paper.
答：芯片（Wafer）被送进CD SEM 中. 电子束扫过光阻图形（Pattern）.有光阻的地方和无光阻的地方产生的二次电子数量不同; 处理此信号可的图像.对图像进行测量得CD.
答：DOF 也叫Depth Of Focus, 与照相中所说的景深相似. 光罩上图形会在透镜的另一侧的某个平面成像, 我们叫做像平面（Image Plan）, 只有将像平面与光阻平面重合（In Focus）才能印出清晰图形. 当离开一段距离后, 图像模糊. 这一可清晰成像的距离叫DOF
答：曝光显影后产生的光阻图形有两个作用：一是作刻蚀的模板，未盖有光阻的地方与刻蚀气体反应，被吃掉．去除光阻后，就会有电路图形留在芯片上．另一作用是充当例子注入的模板．
答：光阻种类有很多．可根据它所适用的曝光波长分为I-line光阻,KrF光阻和ArF光阻
答：光阻厚度与芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋转速度有关，越快越薄，与光阻粘稠度有关．
答：光阻厚度均匀度与芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋转加速度有关，越快越均匀，与旋转加减速的时间点有关．
答：大量清水冲洗眼睛，并查阅显影液的ＣＳＤＳ（Chemical Safety Data Sheet）,把它提供给医生，以协助治疗
答：分为一般排气（General）、酸性排气（Scrubbers）、碱性排气（Ammonia）和有机排气（Solvent） 四个系统。
答：使循环空气能流通 ，不起尘，保证洁净房内的洁净度; 防静电；便于HOOK-UP。
答：是提供厂区无尘室生产及测试机台在制作的完整过程中所需的工艺真空;如真空吸笔、光阻液涂布、吸芯片用真空源等。该系统提供一定的线 kpa）和流量，每天24小时运行
答：提供洁净室所需之新风，对新风湿度，温度，及洁净度来控制，维持洁净室正压和湿度要求。
答：HV（House Vacuum）系统提供洁净室制程区及回风区清洁吸取微尘粒子之真空源，其真空度较低。使用方法为利用软管连接事先已安装在高架地板下或柱子内的真空吸孔，打开运转电源。此系统之运用可减低清洁时的污染。
答：FFU系统保证洁净室内一定的风速和洁净度，由Fan和Filter（ULPA）组成。
答：洁净室系统供应给制程及机台设备所需之洁净度、温度、湿度、正压、气流条件等环境要求。
答：Fab 内的 Area Owner（若出现无水或大量漏水等可请厂务水课（19105）协助）
工程师在正常跑货用纯水做rinse或做机台维护时，要注意不可以有酸或有机溶剂（如IPA等）进入纯水回收系统中，这是因为：
答：酸会导致conductivity（导电率）升高，有机溶剂会导致TOC升高。两者均会影响并降低纯水回收率。
答：先检查是不是为机台漏水或做PM所致，若为厂务系统则通知厂务中控室（12222）
答：酸碱废水/高密度聚乙烯（HDPE）浓硫酸/钢管内衬铁福龙（CS-PTFE）废溶剂/不琇钢管（SUS）
若机台内的drain管有接错或排放成分分类有误，将会导致后端的主系统出现什幺问题?
答：将会导致后端处理的主系统相关指标处理不合格，从而可能会引起公司排放口超标排放的事故。
答：（1） 节约用水，减少相关成本。重在环保。 （2） 符合ISO可持续发展的精神和公司环境保护暨安全卫生政策。
标准大气环境中氧气浓度为多少？工作环静氧气浓度低于多少时人体会感觉不适？
当FAB内气体发生泄漏二级警报（既Leak HiHi），气体警报灯（LAU）会如何动作？FAB内工作人员应如何应变？
欲从事生产/测试/维护时,如无法就近取得电源供给,可以无限制使用延长线吗?
欲从事生产/测试/维护时,如无法就近取得电源供给,也不能无限制使用延长线,对吗?
答：当供电局供电中断时,本厂因有紧急发电机设备,配合各相关监视系统,仍然能保持FAB之Safety,所以人员仍可安心待在FAB中.
答：电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子,正离子,负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压.
答：是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真（dummy） 晶圆进行数次的蚀刻循环。
答：（1） 正面颜色是否异常及刮伤 （2） 有无缺角及Particle （3）刻号是否正确
答：（1） 警告.内部有严重危险.严禁打开此门 （2） 机械手臂危险. 严禁打开此门 （3） 化学药剂危险. 严禁打开此门
答：蚀刻后特定图形尺寸之大小,特征尺寸（Critical Dimension）
答：蚀刻过程中,所施予之功率并不会完全地被反应腔内接收端所接受,会有部份值反射掉,此反射之量,称为反射功率
答：Wafers经由loadlock后再进出反应腔,确保反应腔维持在真空下不受粉尘及湿度的影响.
